• MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Certificering: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 31000 stuks
Prijs: negotiable
Levertijd: Tijd voor het hoogseizoen: één maand Tijd voor het laagseizoen: binnen 15 werkdagen
Betalingscondities: LC, T/T, PayPal
Levering vermogen: 10000000000 stuk/jaar
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Model nr.: MB6S Structuur: legering
Materiaal: silicium Transportpakket: MBS
Specificatie: Diode voor het rechtzetten van bruggen Handelsmerk: JF, JH.
Oorsprong: China HS-code: 85411000
Levering vermogen: 10000000000 stuk/jaar

Productomschrijving

Productbeschrijving
 
Vervaardiging van de volgende modellen:
Elektronicacomponent

Deelnummer: MB1S THRU MB10S

Grote parameter:
 

Type VRRM Indien IR(25oC) IR ((100oC) IR125oC) VF Trr Overzicht
V Een μA μA uA V nS
MB1S 100 0.8 5   100 1.1   MBS
MB2S 200 0.8 5   100 1.1  
MB4S 400 0.8 5   100 1.1  
MB6S 600 0.8 5   100 1.1  
MB8S 800 0.8 5   100 1.1  
MB10S 1000 0.8 5   100 1.1  

Merk:JF / JH

Verpakking:MBS-pakket
Vervaardiger:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Kenmerken:
 

Plastic verpakking heeft Underwriters Laboratory ontvlambaarheid
Indeling 94V-0
Glas-gepassiveerde chipverbinding
Nomenclatuur tot 1000V PRV
Ideaal voor printplaten
Gegarandeerd hoogtemperatuursolderen:260 C/10 seconden bij de eindpunten
°
Component in overeenstemming met RoHS 2011 65 EU

Toepassing: 
Gebruikt in het gebied van stroomvoorziening, verlichting, auto's en huishoudelijke apparaten

MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE

MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE

Profiel van het bedrijf

MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE
MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE
MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE

MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGEMB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGEMB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE

MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE
MB1S THRU MB10S SURFACE MOUNTGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER DIODE WITH MBS PACKAGE

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.