• MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
  • MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie
MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Certificering: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 31000 stuks
Prijs: negotiable
Levertijd: Tijd voor het hoogseizoen: één maand Tijd voor het laagseizoen: binnen 15 werkdagen
Betalingscondities: LC, T/T, PayPal
Levering vermogen: 10000000000 stuk/jaar
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Model nr.: MB6S Structuur: legering
Materiaal: silicium Transportpakket: MBS
Specificatie: Diode voor het rechtzetten van bruggen Handelsmerk: JF, JH.
Oorsprong: China HS-code: 85411000
Levering vermogen: 10000000000 stuk/jaar

Productomschrijving

Productbeschrijving
 
Vervaardiging van de volgende modellen:
Elektronicacomponent

Deelnummer: MB1S THRU MB10S

Grote parameter:
 

Type VRRM Indien IR(25oC) IR ((100oC) IR125oC) VF Trr Overzicht
V Een μA μA uA V nS
MB1S 100 0.8 5   100 1.1   MBS
MB2S 200 0.8 5   100 1.1  
MB4S 400 0.8 5   100 1.1  
MB6S 600 0.8 5   100 1.1  
MB8S 800 0.8 5   100 1.1  
MB10S 1000 0.8 5   100 1.1  

Merk:JF / JH

Verpakking:MBS-pakket
Vervaardiger:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Kenmerken:
 

Plastic verpakking heeft Underwriters Laboratory ontvlambaarheid
Indeling 94V-0
Glas-gepassiveerde chipverbinding
Nomenclatuur tot 1000V PRV
Ideaal voor printplaten
Gegarandeerd hoogtemperatuursolderen:260 C/10 seconden bij de eindpunten
°
Component in overeenstemming met RoHS 2011 65 EU

Toepassing: 
Gebruikt in het gebied van stroomvoorziening, verlichting, auto's en huishoudelijke apparaten

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 0

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 1

Profiel van het bedrijf

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 2
MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 3
MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 4

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 5MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 6MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 7

MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 8
MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie 9

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MB1S THRU MB10S SILICON BRIDGE RECTIFIER DIODE met MBS-verpakking voor glaspassivatie kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.